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SSM3J331R,LF
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 特性：1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 150 mΩ（最大值）(@VGS = -1.5V)。RDS(ON) = 100 mΩ（最大值）(@VGS = -1.8V)。RDS(ON) = 75 mΩ（最大值）(@VGS = -2.5V)。RDS(ON) = 55 mΩ（最大值）(@VGS = -4.5V)。应用：电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J331R,LF
- 商品编号
- C3008600
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 30V、10A，VGS = 10V时，RDS(ON) = 10mΩ
- 改善的dv/dt能力
- 快速开关
- 有环保器件可供选择
应用领域
- MB/VGA/Vcore-负载点应用-开关电源二次侧同步整流
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