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SSM6K513NU,LF
1个N沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- 特性：4.5V驱动。 低导通电阻：RDS(ON) = 8.0mΩ（典型值）(VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 6.5mΩ（典型值）(VGS = 10V)。应用：电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6K513NU,LF
- 商品编号
- C3008601
- 商品封装
- UDFNB-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042409克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AO4614-MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 4.5V驱动
- 低导通电阻:RDS(ON) = 8.0 mΩ(典型值)(@VGS = 4.5V)
- RDS(ON) = 6.5 mΩ(典型值)(@VGS = 10 V)
应用领域
- 电源管理开关