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DMTH6005LK3-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:90A
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- 描述
- 这款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH6005LK3-13
- 商品编号
- C3001624
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.462克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.962nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 965.2pF |
商品概述
NP6003VR采用先进的沟槽技术和设计，在提供极低栅极电荷的同时，实现出色的漏源导通电阻（R_DS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 额定温度达 +175℃——适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关——确保终端应用更可靠、更耐用
- 低 RDS(ON)——最大程度降低功率损耗
- 低 Qg——最大程度降低开关损耗
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 该部件符合JEDEC标准(如AEC - Q中引用),具有高可靠性。
- 另有符合汽车标准的部件(DMTH6005LK3Q),其数据手册单独提供。
应用领域
-发动机管理系统-车身控制电子设备-DC-DC转换器