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DMC21D1UDA-7B
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:455mA
- 描述
- 此MOSFET旨在最大程度地降低导通电阻，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC21D1UDA-7B
- 商品编号
- C3001613
- 商品封装
- X2-DFN0806-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.008克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V；20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 455mA；328mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@4.5V；1.2Ω@-4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV；700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 410pC@4.5V；400pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 31pF；28.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.6pF；2.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.9pF；3.6pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压,最大1.0V
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 超小型表面贴装封装0.8mm x 0.6mm
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- 通用接口开关
- 电源管理功能
- 模拟开关