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DMTH6010LPDQ-13
2个N沟道 耐压:60V 电流:47.6A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：发动机管理系统、车身控制电子设备、DC-DC转换器。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH6010LPDQ-13
- 商品编号
- C3001609
- 商品封装
- TDFN-8-Power
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.227克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.615nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NP2302FHR采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高密度单元设计，实现超低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = 20 V，ID = 3 A
- RDS(ON)(典型值) = 45 mΩ @ VGS = 4.5 V
- RDS(ON)(典型值) = 73 mΩ @ VGS = 2.5 V
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关