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LX3400S
N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:30V 电流:5.1A
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- 描述
- LX3400S结合了先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- CHIPLINK(芯联)
- 商品型号
- LX3400S
- 商品编号
- C2995686
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 595pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 39pF |
商品概述
NP6020D6采用先进的沟槽技术，经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的漏源导通电阻（R_DS(ON)）和栅极电荷（Q_g）组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- VDS = 30 V, ID = 5.1 A
- RDS(ON)< 33 m Ω@ VDS=10 V
- RDS(ON)<39 m Ω@V D S=4.5 V
- RDS(ON)< 55 m Ω@ VDS=2.5 V
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 引脚无铅且符合RoHS标准
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理