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LX2302S
N沟道增强型功率MOSFET N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 结合先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适合用作负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- CHIPLINK(芯联)
- 商品型号
- LX2302S
- 商品编号
- C2995688
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 40V、80A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 5.5 mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 10 mΩ
- 提供无铅和环保器件
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理