温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LX2302S
N沟道增强型功率MOSFET N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 结合先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适合用作负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- CHIPLINK(芯联)
- 商品型号
- LX2302S
- 商品编号
- C2995688
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- VDS = 20 V,ID = 2.3 A
- 在VDS = 4.5 V时,RDS(ON) < 60 mΩ
- 在VDS = 2.5 V时,RDS(ON) < 90 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 引脚无铅且符合RoHS标准
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理