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LX3400L
N沟道增强模式功率MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:5.1A
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- 描述
- LX3400L采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 5.1A
- 品牌名称
- CHIPLINK(芯联)
- 商品型号
- LX3400L
- 商品编号
- C2995687
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 595pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 39pF |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET - AlphaSGT™技术
- 低 RDS(on)
- 逻辑电平驱动
- 出色的 QG\RDS(ON)乘积（品质因数）
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 高频开关和同步整流
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