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TPM126S3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM126S3

耐压:600V 电流:30mA

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
TPM126S3
商品编号
C2987086
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.038克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)30mA
导通电阻(RDS(on))700Ω@10V
耗散功率(Pd)500mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
输入电容(Ciss)99pF
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)9.1pF

商品概述

经过100%单脉冲雪崩耐量(UIS)测试 超级沟槽技术

  • 表面贴装封装
  • 湿度敏感度等级1(MSL1) 最高结温(Tj max)175°C

商品特性

  • 600V/16mA,VGS = 10V 时,RDS(ON) = 700Ω
  • 600V/3mA,VGS = 4.5V 时,RDS(ON) = 700Ω
  • 耗尽型(常开)
  • 增强的静电放电(ESD)能力
  • 快速开关
  • 增强的 dv/dt 能力
  • SOT - 23 封装设计

应用领域

  • 台式电脑电源
  • 交流适配器
  • 液晶显示器(LCD)TC 电源

数据手册PDF