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AOSS21319C
1个P沟道 耐压:30V 电流:2.8A
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- 描述
- 采用沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻（RDS(ON)）。低栅极电荷。符合RoHS和无卤标准。具备ESD保护功能
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOSS21319C
- 商品编号
- C2987157
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
优惠活动
购买数量
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