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TPM4408ND8实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM4408ND8

耐压:30V 电流:42A

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
TPM4408ND8
商品编号
C2987075
商品封装
DFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.296克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)42A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)35W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)7.1nC@4.5V
输入电容(Ciss)763pF
反向传输电容(Crss)81pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)132pF

商品特性

  • 栅源电压(VGS)为10V时,导通电阻(RDS(ON))小于9mΩ
  • 栅源电压(VGS)为4.5V时,导通电阻(RDS(ON))小于13mΩ
  • 开关速度快
  • 改善的dv/dt能力
  • 栅极电荷低
  • 反向传输电容低
  • 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品

应用领域

  • 负载/电源开关
  • 接口开关
  • 超小型便携式电子设备的电池管理
  • 逻辑电平转换

数据手册PDF