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AOD417-MS
AOD417-MS 1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- AOD417 MS采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AOD417-MS
- 商品编号
- C2982211
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 194pF |
商品概述
MPG100N06采用先进的沟槽技术，提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60 V，漏极电流（ID） = 100 A，在栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 7.5 mΩ
- 采用特殊工艺技术，具备高ESD能力
- 高密度单元设计，可降低漏源导通电阻（Rdson）
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高EAS，稳定性和一致性良好
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源