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AOD480-MS
N沟道MOSFET,电流:20A,耐压:30V
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AOD480-MS
- 商品编号
- C2982215
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.41克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 416pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 20 A
- RDS(ON)< 25 m Ω(VGS=10 V 时)
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源