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AOD2606-MS
AOD2606-MS 1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- AOD2606-MS采用先进的VD MOS技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和快速开关。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性，适用于低导通电阻RDS(ON)和品质因数（FOM）、极低开关损耗、出色稳定性和一致性的逆变器。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AOD2606-MS
- 商品编号
- C2982212
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品概述
该器件是一款采用具有新型沟槽栅极结构的STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现出极低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- 极低的导通电阻
- 极低的栅极电荷
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用
- 电动工具