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PJM01N20KDC
N沟道增强型功率MOSFET 1个N沟道 耐压:20V 电流:0.8A
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- 描述
- 特性：低栅极电荷和低导通电阻RDS(ON)。 ESD保护（HBM）高达2KV。 VDS = 20V，Id = 0.8A。 RDS(ON) < 310mΩ @ VGS = 4.5V。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM01N20KDC
- 商品编号
- C2981470
- 商品封装
- DFN-3L(1x0.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 56pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和低导通电阻RDS(ON)
- 低反向传输电容
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
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