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PJM7002KNDC
N沟道增强型功率MOSFET 1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- 特性：快速开关。 低栅极电荷和低导通电阻。 低反向传输电容。 VDS = 60V，Id = 0.3A，在VGS = 10V时，RDS(ON) < 3Ω。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM7002KNDC
- 商品编号
- C2981471
- 商品封装
- DFN-3L(1x0.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 21pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和低导通电阻RDS(ON)
- 低反向传输电容
应用领域
- 负载开关
- PWM应用