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HYG200N12NS1P
N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:120V 电流:60A
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- 描述
- 特性：120V/60A，RDS(ON)=15mΩ（典型值），VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：功率开关应用。 高频同步降压转换器
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG200N12NS1P
- 商品编号
- C2981473
- 商品封装
- TO-220FB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.76克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 327pF |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET采用了最新的加工技术，以实现每单位硅片面积的极低导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。
商品特性
- 120V/60A
- RDS(ON) = 15mΩ(典型值),VGS = 10V 时
- 经过 100% 雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件(符合 RoHS 标准)
应用领域
-功率开关应用-高频同步降压转换器-N 沟道 MOSFET