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TF2005M-TAH

高端和低端栅极驱动器

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描述: 中压200V, 单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
品牌名称: TFSS(德律风根)
商品型号: TF2005M-TAH
商品编号: C2981474
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.122克(g)

商品参数

商品概述

TF2005M是一款中压、高速栅极驱动器，能够以高端/低端配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。TF的高压工艺使TF2005M的高端在自举操作中可切换至200V。高端和低端驱动器之间30ns（最大值）的传播延迟匹配，支持高频开关。 TF2005M逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。低端栅极驱动器和逻辑电路共用一个接地端。 TF2005M采用节省空间的8引脚SOIC封装，工作温度范围为-40℃至+125℃。

商品特性

自举操作中浮动高端驱动器可达200V
以高端/低端配置驱动两个N沟道MOSFET或IGBT
输出可耐受负瞬变
宽范围低端栅极驱动器和逻辑电源：10V至20V
逻辑输入与CMOS和TTL兼容（低至3.3V）
带内部下拉的施密特触发逻辑输入
最大延迟匹配为30ns
典型源/灌脉冲电流为290mA/600mA
高端和低端驱动器具备欠压锁定功能
提供节省空间的SOIC - 8封装
扩展温度范围：-40℃至+125℃

应用领域

直流 - 直流转换器
交流 - 直流逆变器
电机控制
D类功率放大器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	600mA
	拉电流(IOH)	290mA
	工作电压	10V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	100ns
	下降时间(tf)	35ns
	传播延迟 tpLH	220ns
	传播延迟 tpHL	200ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	120uA