我的订单购物车(0)会员中心
联系客服
帮助中心供应商合作
嘉立创产业服务群
立创商城
首页领券中心备货找料立推专区爆款推荐PLUS会员BOM配单海外代购PCB/SMTMRO工业品面板定制
IRFD110PBF实物图
IRFD110PBF商品缩略图
IRFD110PBF商品缩略图
IRFD110PBF商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

  • 收藏
    收藏
  • 对比
    对比

IRFD110PBF

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:100V 电流:710mA

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    N沟道,100V,1A,540mΩ@10V

  • 品牌名称VISHAY(威世)
  • 商品型号

    IRFD110PBF
  • 商品编号

    C3005
  • 商品封装

    HVMDIP-4
  • 包装方式

    管装

  • 商品毛重

    0.56克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)710mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)540mΩ@10V,0.60A
功率(Pd)1.3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)8.3nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)180pF
反向传输电容(Crss@Vds)15pF@25V
工作温度-55℃~+175℃
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):540 毫欧 @ 600mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):8.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):180pF @ 25V
功率 - 最大值:1.3W
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:4-DIP(0.300",7.62mm)
供应商器件封装:4-DIP,Hexdip,HVMDIP

数据手册PDF

梯度价格

嘉立创贴片惊喜价格立即查看

梯度
售价
折合1
1+¥2.88
10+¥2.29
30+¥2.04

优惠活动

库存总量

(单位:)
  • 广东仓

    42

  • 江苏仓

    0

  • SMT仓

    62

购买数量(100个/管,最小起订量 1 个 )

起订量:1 个100个/管
总价金额: 0.00

近期成交19单

点击咨询客服咨询客服
  • 优惠券图标优惠券
  • 芯媒体芯媒体
  • 意见反馈建议反馈
  • 意见反馈投诉意见
  • 收起收起
  • 海量现货

    海量现货

    56万现货SKU

    品类不断扩充中

  • 闪电发货

    闪电发货

    科技智能大仓储

    最快4小时发货

  • 严控渠道

    严控渠道

    正品有保障

    物料可追溯

  • 降低成本

    降低成本

    明码标价节省时间

    一站式采购元器件

© 2024 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有

备案粤公网安备 44030402002194粤ICP备13005967号工商网监工商网监ISO/IEC