IRFD110PBF
1个N沟道 耐压:100V 电流:710mA
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描述
N沟道,100V,1A,540mΩ@10V
- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
IRFD110PBF商品编号
C3005商品封装
HVMDIP-4包装方式
管装
商品毛重
0.56克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 710mA | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 540mΩ@10V,0.60A | |
功率(Pd) | 1.3W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.3nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 180pF | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 15pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):540 毫欧 @ 600mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):8.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):180pF @ 25V
功率 - 最大值:1.3W
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:4-DIP(0.300",7.62mm)
供应商器件封装:4-DIP,Hexdip,HVMDIP
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):540 毫欧 @ 600mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):8.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):180pF @ 25V
功率 - 最大值:1.3W
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:4-DIP(0.300",7.62mm)
供应商器件封装:4-DIP,Hexdip,HVMDIP
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