我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
NUP2105LT1G实物图
  • NUP2105LT1G商品缩略图
  • NUP2105LT1G商品缩略图
  • NUP2105LT1G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NUP2105LT1G

双向ESD 24V截止 峰值浪涌电流:8A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
NUP2105LT1G是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,采用领先的单片硅技术,具有快速响应时间和低静电放电(ESD)钳位电压,是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±15kV,接触放电±8kV,采用无铅SOT - 23封装,旨在保护连接到数据和传输线路的元件免受电压浪涌影响。
品牌名称
DOWO(东沃)
商品型号
NUP2105LT1G
商品编号
C2976509
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.028克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性双向
反向截止电压(Vrwm)24V
钳位电压43V
峰值脉冲电流(Ipp)8A
峰值脉冲功率(Ppp)420W@8/20us
击穿电压26.7V
属性参数值
反向电流(Ir)200nA
通道数双路
工作温度-55℃~+125℃
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容30pF

商品概述

NUP2105LT1G是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,采用领先的单片硅技术,具有快速响应时间和低静电放电(ESD)钳位电压,是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±15kV,接触放电±8kV,采用无铅SOT - 23封装,旨在保护连接到数据和传输线路的元件免受电压浪涌影响。

商品特性

  • 420W峰值脉冲功率(8/20μs)
  • 保护两条双向线路
  • 超低泄漏:纳安级
  • 工作电压:24V
  • 通过AEC - Q101认证
  • 低钳位电压
  • 符合以下标准:
    • IEC 61000 - 4 - 2(ESD)抗扰度测试 空气放电:±30kV 接触放电:±30kV
    • IEC 61000 - 4 - 4(EFT)40A(5/50ns)
    • IEC 61000 - 4 - 5(雷击)9A(8/20μs)
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 手机及配件
  • 笔记本电脑和手持设备
  • 便携式仪器
  • 机顶盒
  • 工业控制
  • 服务器和台式电脑

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(3000个/圆盘,最小起订量 10 个)
起订量:10 个3000个/圆盘

总价金额:

0.00

近期成交100+