GR5515IENDU

GR551x系列芯片是Bluetooth 5.1单模低功耗蓝牙系统级芯片（SoC），可以配置为广播者（Broadcaster）、观察者（Observer）、外围设备（Peripheral）或中央设备（Central），并支持上述各种角色的组合应用，可广泛应用于物联网（IoT）和智能穿戴设备领域。 GR551x系列架构以ARM Cortex-M4F CPU为核心，集成Bluetooth 5.1协议栈、2.4 GHz RF收发器、片上可编程存储器Flash、RAM以及多种外设。 GR551x系列芯片已推出多款不同封装类型的芯片产品，开发者可根据项目需要选择合适的芯片。

• 集成控制器和主机层的低功耗蓝牙5.1收发器
• 支持数据传输速率：1 Mbps、2 Mbps、LR（500 kbps、125 kbps）
• TX发射功率：-20 dBm ～ +7 dBm
• -97 dBm接收灵敏度（1 Mbps模式下）
• -93 dBm接收灵敏度（2 Mbps模式下）
• -99.5 dBm接收灵敏度（LR 500 kbps模式下）
• -103 dBm接收灵敏度（LR 125 kbps模式下）
• TX发射功耗：3.05 mA @ 0 dBm，1 Mbps
• RX接收功耗：3.9 mA @ 1 Mbps
• 内置ARM Cortex-M4F 32位微处理器，支持浮点运算
• 最高频率：64 MHz
• 功耗：30 μA/MHz
• GR5515系列芯片为256 KB RAM（4个8 KB的内存块和7个32 KB的内存块）；GR5513芯片为128 KB RAM（4个8 KB的内存块和3个32 KB的内存块）
• GR5515系列芯片为1 MB Flash，GR5513芯片为512 KB Flash。其中，GR5515I0ND/GR5515I0NDA使用外置QSPI Flash，且GR5515IENDU Flash为512 KB
• 片内DC-DC转换器
• 片内I/O LDO提供I/O电压并支持为外部器件供电
• 电源电压：1.7 V～3.8 V；当GR5515I0ND或GR5515I0NDA选择外部高压Flash时，供电电压必须等于外部QSPI Flash的工作电压
• I/O电压：1.8 V～3.3 V（典型值）；当GR5515I0ND/GR5515I0NDA/GR5515IENDU/GR5513BENDU Flash使用高压供电时，应用电路中必须将VIO_LDO_OUT的引脚连接到VBATL
• OFF模式：0.15 μA（典型值）；除了VBAT以外，其他部件均被关闭，芯片处于复位状态
• Ultra Deep Sleep模式：0.65 μA（典型值）；I/O LDO关闭，无内存备份，支持AON GPIO和AON计时器唤醒
• Sleep模式：1.3 μA（典型值）。测试条件：关闭I/O LDO、关闭BOD/BOD2、 Memory retention电压设置到最低档位、32 KB Memory retention。该模式支持AON_RTC、AON GPIO和Bluetooth LE Event唤醒
• 两路QSPI接口，最高达32 MHz
• 两路SPI接口（1路支持2个Slave选择引脚的SPI Master接口，1路SPI Slave接口），最高达32 MHz
• 两路I²C接口（支持100 kHz、400 kHz、1 MHz、2 MHz）
• 两路I²S接口（1路I²S Master接口以及1路I²S Slave接口）
• 两路UART接口（1路DMA通道）
• 13位ADC，最高1 Msps，多达8个通道（5个外部测试通道和3个内部信号通道），支持单端和差分两种输入方式
• ISO 7816接口
• 6路PWM输出
• 内置温度和电压传感器
• 4个硬件定时器
• 1个AON硬件定时器
• 2个看门狗定时器（系统级、Always-on）
• 日历定时器
• 唤醒比较器
• 支持最多39个可灵活复用的GPIO
• 提供完善的安全计算引擎：AES 128-bit/192-bit/256-bit对称加密（ECB和CBC），HMAC哈希加密算法，PKCTRNG
• 提供全面的安全运行机制：安全启动，加密固件直接从Flash运行，密钥加密后存储至eFuse中，应用数据密钥不同于固件密钥，支持一机一密
• 封装类型：7 mm x 7 mm QFN56、5.3 mm x 5.3 mm BGA68、3.5 mm x 3.5 mm BGA55、5 mm x 5 mm QFN40
• 工作温度范围：-40℃～+85℃

• 物联网（IoT）
• 智能穿戴设备