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PJT7800_R1_00001
2个N沟道 耐压:20V 电流:1A
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- 描述
- 特性：RDS(ON)，VGS@4.5V，ID@1.0A < 150mΩ。 RDS(ON)，VGS@2.5V，ID@0.7A < 215mΩ。 RDS(ON)，VGS@1.8V，ID@0.3A < 400mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 专为开关负载、PWM应用等设计。 ESD保护2KV HBM。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品。 符合IEC61249标准的绿色模塑料（无卤素）
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJT7800_R1_00001
- 商品编号
- C360765
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 92pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 当VGS为4.5V、ID为1.0A时，RDS(ON)小于150mΩ
- 当VGS为2.5V、ID为0.7A时，RDS(ON)小于215mΩ
- 当VGS为1.8V、ID为0.3A时，RDS(ON)小于400mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM应用等特别设计
- 静电放电保护达2KV HBM
- 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
- 符合IEC61249标准的绿色模塑料（无卤）