CY7C1009BN-12VC
CY7C1009BN-12VC
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- 商品型号
- CY7C1009BN-12VC
- 商品编号
- C2959707
- 商品封装
- BSOJ-32
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 12ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 90mA | |
| 待机电流 | 2mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C109BN/CY7C1009BN是一款高性能CMOS静态RAM，组织形式为131,072字×8位。通过低电平有效片选信号（CE1上划线）、高电平有效片选信号（CE2）、低电平有效输出使能信号（OE）和三态驱动器，可轻松实现内存扩展。向器件写入数据时，将片选信号一（CE1上划线）和写使能信号（WE）置为低电平，片选信号二（CE2）置为高电平，此时8个输入/输出引脚（I/O0至I/O7）上的数据将被写入地址引脚（A0至A16）指定的位置。从器件读取数据时，将片选信号一（CE1上划线）和输出使能信号（OE）置为低电平，写使能信号（WE）和片选信号二（CE2）置为高电平，地址引脚指定的内存位置内容将出现在输入/输出引脚上。当器件未被选中（CE1为高电平或CE2为低电平）、输出被禁用（OE为高电平）或进行写操作（CE1为低电平、CE2为高电平且WE为低电平）时，8个输入/输出引脚（I/O0至I/O7）处于高阻态。CY7C109BN采用标准400密耳宽SOJ和32引脚TSOP I型封装，CY7C1009BN采用300密耳宽SOJ封装，二者在其他功能方面等效。
商品特性
- 高速
- tAA = 12 ns
- 低有源功耗
- 495 mW（最大12 ns）
- 低CMOS待机功耗
- 55 mW（最大）4 mW
- 2.0V数据保持
- 未选中时自动掉电
- TTL兼容输入和输出
- 可通过CE1上划线、CE2和OE上划线选项轻松扩展内存