CY7C199L-15VCT
CY7C199L-15VCT
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- 商品型号
- CY7C199L-15VCT
- 商品编号
- C2959723
- 商品封装
- BSOJ-28
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 15ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 110mA | |
| 待机电流 | 500uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C199是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为32768字×8位。通过低电平有效的芯片使能(CE)、低电平有效的输出使能(OE)和三态驱动器,可轻松实现内存扩展。该器件具有自动掉电功能,在未选中时可将功耗降低81%。CY7C199采用标准的300密耳宽DIP、SOJ和LCC封装。低电平有效的写使能信号(WE)控制存储器的读写操作。当CE和WE输入均为低电平时,八个数据输入输出引脚(I/O₀至I/O₇)上的数据将被写入由地址引脚(A₀至A₁₄)上地址指定的存储位置。读取器件时,需选中器件并使能输出,即CE和OE为低电平,而WE保持无效或高电平。在这些条件下,地址引脚信息所指定位置的内容将出现在八个数据输入输出引脚上。除非芯片被选中、输出被使能且写使能(WE)为高电平,否则输入输出引脚将保持高阻态。采用芯片涂层确保抗α粒子干扰。
商品特性
- 高速12 ns
- 快速tDOE
- 采用CMOS技术,实现最佳速度/功耗比
- 低工作功耗880 mW
- 低待机功耗 -165 mW
- 借助CE(上划线)和OE功能,便于内存扩展
- TTL兼容输入输出
- 未选中时自动掉电
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