CY7C1007B-15VXC
CY7C1007B-15VXC
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- 商品型号
- CY7C1007B-15VXC
- 商品编号
- C2959716
- 商品封装
- BSOJ-28
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 15ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 80mA | |
| 待机电流 | 2mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C107BN和CY7C1007BN是高性能CMOS静态RAM,组织为1,048,576字×1位。通过低电平有效的芯片使能(CE)和三态驱动器,提供简便的内存扩展。这些器件具有自动断电功能,当未被选中时,功耗降低超过65%。写入器件通过将芯片使能(CE)和写使能(WE)输入置为低电平来完成。输入引脚(D_IN)上的数据被写入到地址引脚(A_0至A_19)指定的内存位置。从器件读取通过将芯片使能(CE)置为低电平而写使能(WE)保持高电平来完成。在此条件下,地址引脚指定的内存位置的内容将出现在数据输出(D_OUT)引脚上。当器件未被选中(CE高电平)或写入操作期间(CE和WE低电平),输出引脚(D_OUT)处于高阻抗状态。CY7C107BN采用标准400密耳宽SOJ封装;CY7C1007BN采用标准300密耳宽SOJ封装。
商品特性
- t_AA = 15 ns
- 高速
- CMOS实现速度/功耗
- 自动断电当未被选中
- TTL兼容输入和输出

