CY7C1006B-15VCT
CY7C1006B-15VCT
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 商品型号
- CY7C1006B-15VCT
- 商品编号
- C2959721
- 商品封装
- BSOJ-28
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 15ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 80mA | |
| 待机电流 | 30mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C106B和CY7C1006B是高性能CMOS静态随机存储器，组织形式为262,144字×4位。通过低电平有效片选信号（CE）、低电平有效输出使能信号（OE）和三态驱动器，可轻松实现内存扩展。这些器件具有自动掉电功能，当器件未被选中时，可将功耗降低65%以上。向器件写入数据时，将片选信号（CE）和写使能信号（WE）置为低电平，然后将四个I/O引脚（I/O₀至I/O₃）上的数据写入地址引脚（A₀至A₁₇）指定的位置。从器件读取数据时，将片选信号（CE）和输出使能信号（OE）置为低电平，同时将写使能信号（WE）置为高电平，此时地址引脚指定的存储单元内容将出现在四个I/O引脚上。当器件未被选中（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）或进行写操作（CE和WE为低电平）时，四个输入/输出引脚（I/O₀至I/O₃）处于高阻态。CY7C106B采用标准400密耳宽SOJ封装，CY7C1006B采用标准300密耳宽SOJ封装。
商品特性
- 访问时间tₐₐ = 12 ns
- 高速
- 采用CMOS技术，实现速度/功耗的优化
- 低工作功耗 — 495 mW
- 低待机功耗 — 275 mW
- 2.0V数据保持（可选） — 100 μW
- 未选中时自动掉电
- TTL兼容输入和输出