CY62256VNLL-70ZRI
CY62256VNLL-70ZRI
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- 商品型号
- CY62256VNLL-70ZRI
- 商品编号
- C2956394
- 商品封装
- TSSOP-28
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 读写时间 | 70ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 30mA | |
| 待机电流 | 10uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY62256VN系列由两个高性能CMOS静态RAM组成,组织为32K字×8位。通过低电平有效的芯片使能(CE)和低电平有效的输出使能(OE)以及三态驱动器,提供了简便的存储器扩展。这些器件具有自动断电功能,当未选中时,功耗降低超过99%。低电平有效的写使能信号(WE)控制存储器的写/读操作。当CE和WE输入均为低电平时,八个数据输入/输出引脚(I/O0至I/O7)上的数据被写入由地址引脚(A0至A14)上地址指定的存储器位置。读取器件通过选择器件并使能输出完成,CE和OE为低电平有效,而WE保持无效或高电平。在此条件下,由地址引脚信息指定的位置内容出现在八个数据输入/输出引脚上。输入/输出引脚保持高阻抗状态,除非芯片被选中、输出使能且写使能(WE)为高电平。
商品特性
- 温度范围:商用0°C至70°C,工业-40°C至85°C,汽车-A -40°C至85°C,汽车-E -40°C至125°C
- 速度:70 ns
- 低电压范围:2.7V至3.6V
- 低活动功率和待机功率
- 通过CE和OE功能实现简便存储器扩展
- TTL兼容输入和输出
- 未选中时自动断电
- CMOS技术,用于速度和功率
- 提供标准无铅和非无铅28引脚(300-mil)窄体SOIC、28引脚TSOP-I和28引脚反向TSOP-I封装
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