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CY62256VL-70ZI实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY62256VL-70ZI

CY62256VL-70ZI

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商品型号
CY62256VL-70ZI
商品编号
C2956410
商品封装
TSSOP-28​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量256Kbit
工作电压2.7V~3.6V
读写时间70ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流30mA
待机电流5uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY62256V系列由三款高性能CMOS静态随机存储器组成,其组织形式为32,768字×8位。通过低电平有效的芯片使能(CE)、低电平有效的输出使能(OE)和三态驱动器,可轻松实现内存扩展。这些器件具有自动掉电功能,在未选中时可将功耗降低99%以上。CY62256V系列有标准450密耳宽(300密耳主体宽度)的SOIC、TSOP和反向TSOP封装。低电平有效的写使能信号(WE)控制存储器的读写操作。当CE和WE输入均为低电平时,八个数据输入/输出引脚(I/O₀至I/O₇)上的数据将被写入由地址引脚(A₀至A₁₄)上的地址所指定的存储位置。读取器件时,通过选中器件并使能输出(CE和OE为低电平),同时WE保持无效或高电平来完成。在这些条件下,地址引脚上信息所指定位置的内容将出现在八个数据输入/输出引脚上。除非选中芯片、使能输出且写使能(WE)为高电平,否则输入/输出引脚将保持高阻态。

商品特性

  • 低电压范围:
  • 2.7V - 3.6V(62256V)
  • 2.3V - 2.7V(62256V25)
  • 1.6V - 2.0V(62256V18)
  • 低工作功率和待机功率
  • 通过CE和OE功能轻松实现内存扩展
  • TTL兼容的输入和输出
  • 未选中时自动掉电
  • 采用CMOS技术以实现最佳速度/功率比

数据手册PDF