CY62256VL-70ZI
CY62256VL-70ZI
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- 商品型号
- CY62256VL-70ZI
- 商品编号
- C2956410
- 商品封装
- TSSOP-28
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 读写时间 | 70ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 30mA | |
| 待机电流 | 5uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY62256V系列由三款高性能CMOS静态随机存储器组成,其组织形式为32,768字×8位。通过低电平有效的芯片使能(CE)、低电平有效的输出使能(OE)和三态驱动器,可轻松实现内存扩展。这些器件具有自动掉电功能,在未选中时可将功耗降低99%以上。CY62256V系列有标准450密耳宽(300密耳主体宽度)的SOIC、TSOP和反向TSOP封装。低电平有效的写使能信号(WE)控制存储器的读写操作。当CE和WE输入均为低电平时,八个数据输入/输出引脚(I/O₀至I/O₇)上的数据将被写入由地址引脚(A₀至A₁₄)上的地址所指定的存储位置。读取器件时,通过选中器件并使能输出(CE和OE为低电平),同时WE保持无效或高电平来完成。在这些条件下,地址引脚上信息所指定位置的内容将出现在八个数据输入/输出引脚上。除非选中芯片、使能输出且写使能(WE)为高电平,否则输入/输出引脚将保持高阻态。
商品特性
- 低电压范围:
- 2.7V - 3.6V(62256V)
- 2.3V - 2.7V(62256V25)
- 1.6V - 2.0V(62256V18)
- 低工作功率和待机功率
- 通过CE和OE功能轻松实现内存扩展
- TTL兼容的输入和输出
- 未选中时自动掉电
- 采用CMOS技术以实现最佳速度/功率比
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