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CY62256VL-70ZI引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY62256VL-70ZI

CY62256VL-70ZI

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商品型号
CY62256VL-70ZI
商品编号
C2956410
商品封装
TSSOP-28​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量256Kbit
工作电压2.7V~3.6V
读写时间70ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流30mA
待机电流5uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY62256V系列由三个高性能CMOS静态RAM组成,组织为32,768字×8位。通过低电平有效的芯片使能(CE)和输出使能(OE)以及三态驱动器,提供了简便的存储器扩展。这些器件具有自动断电功能,当未被选中时,功耗降低超过99%。CY62256V系列提供标准的450密耳宽(300密耳体宽)SOIC、TSOP和反向TSOP封装。低电平有效的写使能信号(WE)控制存储器的写/读操作。当CE和WE输入均为低电平时,八个数据输入/输出引脚(I/O0到I/O7)上的数据被写入由地址引脚(A0到A14)上的地址寻址的存储器位置。读取器件通过选择器件并使能输出(CE和OE为低电平有效)来完成,而WE保持无效或高电平。在这些条件下,由地址引脚信息寻址的位置的内容出现在八个数据输入/输出引脚上。输入/输出引脚保持高阻抗状态,除非芯片被选中、输出被使能且写使能(WE)为高电平。

商品特性

  • 低电压范围:2.7V - 3.6V (62256V)、2.3V - 2.7V (62256V25)、1.6V - 2.0V (62256V18)
  • 低工作功耗和待机功耗
  • 通过CE和OE功能实现简便的存储器扩展
  • TTL兼容输入和输出
  • 未选中时自动断电

数据手册PDF