CY62256VL-70SNCT

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY62256VL-70SNCT
商品编号: C2956411
商品封装: SOIC-28
包装方式: 管装
商品毛重: 1.42克(g)

商品参数

商品概述

CY62256V是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为32768字×8位。通过低电平有效的片选信号（CE）、低电平有效的输出使能信号（OE）和三态驱动器，可轻松实现内存扩展。该器件具有自动掉电功能，在未选中时可将功耗降低98%。CY62256V采用标准的450密耳宽（300密耳主体宽度）SOIC、TSOP和反向TSOP封装。低电平有效的写使能信号（WE）控制存储器的读写操作。当CE和WE输入均为低电平时，八个数据输入/输出引脚（I/O₀至I/O₇）上的数据将被写入由地址引脚（A₀至A₁₄）上的地址所指定的存储位置。读取器件时，通过选中器件并使能输出（CE和OE为低电平，WE保持无效或高电平）来完成。在这些条件下，地址引脚上的信息所指定位置的内容将出现在八个数据输入/输出引脚上。除非选中芯片、使能输出且写使能（WE）为高电平，否则输入/输出引脚将保持高阻态。采用芯片涂层以确保α粒子免疫。

商品特性

55纳秒和70纳秒的访问时间
CMOS工艺，实现速度与功耗的优化
宽电压范围：2.7伏至3.6伏
低工作功耗（70纳秒，LL版本）最大108毫瓦
低待机功耗（70纳秒，LL版本）最大18微瓦
通过片选和输出使能功能，易于进行存储器扩展
输入和输出与TTL电平兼容
在未被选中时自动进入掉电模式

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	256Kbit
	工作电压	2.7V~3.6V
	读写时间	70ns

	属性	参数值
	工作温度	0℃~+70℃
	工作电流	50mA
	待机电流	50uA
	功能特性	自动掉电功能