CY62256VLL-70ZRXE
CY62256VLL-70ZRXE
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 商品型号
- CY62256VLL-70ZRXE
- 商品编号
- C2956403
- 商品封装
- TSSOP-28
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 读写时间 | 70ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电流 | 30mA | |
| 待机电流 | 130uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY62256V系列由两个高性能CMOS静态RAM组成,组织形式为32K字×8位。通过低电平有效的芯片使能(CE)、低电平有效的输出使能(OE)和三态驱动器,可轻松实现内存扩展。这些器件具有自动掉电功能,在未被选中时可将功耗降低99%以上。低电平有效的写使能信号(WE)控制内存的读写操作。当CE和WE输入均为低电平时,八个数据输入/输出引脚(I/O₀至I/O₇)上的数据将被写入由地址引脚(A₀至A₁₄)上的地址所寻址的内存位置。读取器件时,需选中器件并使能输出,即CE和OE为低电平,而WE保持无效或高电平。在这些条件下,地址引脚上信息所寻址位置的内容将出现在八个数据输入/输出引脚上。除非选中芯片、使能输出且写使能(WE)为高电平,否则输入/输出引脚将保持高阻态。
商品特性
- 高速:70 ns
- 温度范围:商业级:0°C 至 70°C,工业级:-40°C 至 85°C,汽车级:-40°C 至 125°C
- 低电压范围:2.7V 至 3.6V
- 低工作功耗和待机功耗
- 通过CE和OE功能轻松扩展存储器
- TTL兼容输入和输出
- 取消选择时自动断电
- 提供无铅和非无铅标准28引脚窄体SOIC、28引脚TSOP-1和28引脚反向TSOP-1封装
- CY62256VLL-70ZRIT
- CY62256VLL-70ZRI
- CY62256VLL-70ZIT
- CY62256VLL-70SNXC
- CY62256VLL-70SNE
- CY62256VL-70ZI
- CY62256VL-70SNCT
- CY62256VL-70SNC
- CY62256V-70SNCT
- CY62256NLL-70ZXI
- CY62256NLL-70ZXC
- CY62256NLL-70ZRI
- CY62256NLL-70ZI
- CY62256NLL-70ZC
- CY62256NLL-70SNIT
- CY62256NLL-70SNI
- CY62256NLL-55ZXAKJ
- CY62256NLL-55ZI
- CY62256NL-70SNC
- CY62256NL-70PXC
- CY62256NL-70PC
- CY62256VLL-70ZRIT
- CY62256VLL-70ZRI
- CY62256VLL-70ZIT
- CY62256VLL-70SNXC
- CY62256VLL-70SNE
- CY62256VL-70ZI
- CY62256VL-70SNCT
- CY62256VL-70SNC
- CY62256V-70SNCT
- CY62256NLL-70ZXI
- CY62256NLL-70ZXC
- CY62256NLL-70ZRI
- CY62256NLL-70ZI
- CY62256NLL-70ZC
- CY62256NLL-70SNIT
- CY62256NLL-70SNI
- CY62256NLL-55ZXAKJ
- CY62256NLL-55ZI
- CY62256VLL-70ZI
- S25FL256SDPMFIG11
- CY62256NLL-70PXCKP

