CY7C1024AV33 是一款高性能 CMOS 静态 RAM，组织为 131,072 字 × 24 位。通过低电平有效的 CE1、CE3，高电平有效的 CE2，低电平有效的输出使能 (OE) 和三态驱动器，提供了简便的存储器扩展。该器件具有自动断电功能，在取消选择时显著降低功耗。写入设备通过使芯片使能 (CE1、CE2、CE3) 有效且写使能 (WE) 输入低电平来实现。然后，24 个 I/O 引脚 (I/O0 至 I/O23) 上的数据被写入地址引脚 (A0 至 A16) 指定的位置。从设备读取通过使芯片使能 (CE1、CE2、CE3) 有效且输出使能 (OE) 低电平，同时强制写使能 (WE) 高电平来实现。在这些条件下，地址引脚指定的存储器位置的内容将出现在 I/O 引脚上。当设备取消选择 (CE 高电平)、输出禁用 (OE 高电平) 或写入操作期间 (CE1、CE3 低电平，CE2 高电平，且 WE 低电平) 时，24 个输入/输出引脚 (I/O0 至 I/O23) 处于高阻抗状态。CY7C1024AV33 采用标准的 119 球 BGA 封装和 100 引脚 TQFP 封装。

	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	3Mbit
	工作电压	2.97V~3.63V
	读写时间	10ns

	属性	参数值
	工作温度	0℃~+70℃
	工作电流	275mA
	待机电流	15mA
	功能特性	自动掉电功能

CY7C1024AV33-10BGC

商品参数

商品概述

商品特性

数据手册PDF