CY7C1041B-15VXC

CY7C1041B是一款高性能CMOS静态RAM，组织形式为262144字×16位。向该器件写入数据时，将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置为低电平。若低字节使能（BLE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₀至I/O₇）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₇）指定的位置；若高字节使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₈至I/O₁₅）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₇）指定的位置。从该器件读取数据时，将芯片使能（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。若低字节使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀至I/O₇上；若高字节使能（BHE）为低电平，则存储数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。当器件未被选中（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）、BHE和BLE被禁用（BHE、BLE为高电平）或在写操作期间（CE为低电平且WE为低电平），输入/输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）处于高阻态。CY7C1041B有标准的44引脚400密耳宽体SOJ封装和44引脚TSOP II封装，采用中心电源和接地引脚布局。

• 高速
• tₐₐ = 12 ns
• 低有源功率
• 1540 mW（最大值）
• 低CMOS待机功率（L版本）
• 2.75 mW（最大值）
• 2.0V数据保留（2.0V保留时为400 μW）
• 未选中时自动掉电
• TTL兼容输入和输出
• 通过CE（上划线）和OE（上划线）功能实现轻松的内存扩展