CY7C1041BN-15VI

CY7C1041BN是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为262,144字×16位。向该器件写入数据时，需将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置为低电平。若字节低使能（BLE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₀至I/O₇）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₇）指定的位置；若字节高使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₈至I/O₁₅）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₇）指定的位置。从该器件读取数据时，需将芯片使能（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。若字节低使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储单元的数据将出现在I/O₀至I/O₇上；若字节高使能（BHE）为低电平，则存储单元的数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。当器件未被选中（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）、BHE和BLE被禁用（BHE、BLE为高电平）或在写操作期间（CE为低电平且WE为低电平），输入/输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）将处于高阻态。CY7C1041BN有标准的44引脚400密耳宽体SOJ和44引脚TSOP II封装，采用中心电源和接地（创新型）引脚布局。

• 温度范围
• 商用：0°C至70°C
• 工业用：-40°C至85°C
• 汽车A类：-40°C至85°C
• 高速
• t_AA = 15 ns
• 低有源功耗
• 1540 mW（最大值）
• 低CMOS待机功耗（L版本）
• 2.75 mW（最大值）
• 2.0V数据保持（2.0V保持时为400 μW）
• 未选中时自动掉电
• TTL兼容输入和输出
• 具备CE和OE功能，易于进行内存扩展
• 有无铅和含铅的44引脚TSOP II和模制44引脚（400密耳）SOJ封装可选