CY7C1041CV33-20ZXE

CY7C1041CV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为262,144字×16位。向该器件写入数据时，需将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置为低电平。若字节低使能（BLE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₀ - I/O₇）的数据将被写入地址引脚（A₀ - A₁₇）指定的位置；若字节高使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₈ - I/O₁₅）的数据将被写入地址引脚（A₀ - A₁₇）指定的位置。从该器件读取数据时，需将芯片使能（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。若字节低使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀ - I/O₇上；若字节高使能（BHE）为低电平，则存储数据将出现在I/O₈ - I/O₁₅上。当器件未被选中（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）、BHE和BLE被禁用（BHE、BLE为高电平）或处于写操作期间（CE为低电平且WE为低电平）时，输入/输出引脚（I/O₀ - I/O₁₅）将处于高阻态。CY7C1041CV33有标准的44引脚400密耳宽体SOJ封装、44引脚TSOP II封装（中心电源和接地引脚布局新颖）以及48球细间距球栅阵列（FBGA）封装。

• 引脚与CY7C1041BV33等效
• 温度范围：
  • 商用：0℃至70℃
  • 工业用：-40℃至85℃
  • 汽车用：-40℃至125℃
• 高速，存取时间tAA = 10 ns
• 低工作功耗，最大324 mW
• 2.0V数据保持
• 未选中时自动掉电
• TTL兼容输入输出
• 借助CE（上划线）和OE（上划线）功能轻松进行内存扩展