CY7C1041CV33-15ZXCT

CY7C1041CV33是一种高性能CMOS静态RAM，组织为262,144字×16位。要写入设备，将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置为低电平。如果字节低使能（BLE）为低电平，则来自IO引脚（IO0至IO7）的数据被写入到地址引脚（A0至A17）指定的位置。如果字节高使能（BHE）为低电平，则来自IO引脚（IO8至IO15）的数据被写入到地址引脚（A0至A17）指定的位置。要从设备读取，将芯片使能（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。如果字节低使能（BLE）为低电平，则由地址引脚指定的存储器位置的数据出现在IO0至IO7上。如果字节高使能（BHE）为低电平，则存储器数据出现在IO8至IO15上。当设备被取消选择（CE高电平）、输出被禁用（OE高电平）、BHE和BLE被禁用（BHE、BLE高电平）或写入操作期间（CE低电平且WE低电平）时，输入和输出引脚（IO0至IO15）处于高阻抗状态。

• 温度范围：商业级为0°C至70°C，工业级为-40°C至85°C，汽车-A级为-40°C至85°C，汽车-E级为-40°C至125°C
• 引脚和功能与CY7C1041BV33兼容
• 高速：tAA = 10 ns（商业级、工业级和汽车-A级），tAA = 12 ns（汽车-E级）
• 低有功功率：最大324 mW
• 2.0V数据保持
• 取消选择时自动断电
• TTL兼容输入和输出
• 使用CE和OE功能轻松扩展存储器
• 提供无铅和非无铅44引脚400密耳SOJ、44引脚TSOP II和48球FBGA封装