CY7C1041CV33-10VXC

CY7C1041CV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为262,144字×16位。要向该器件写入数据，需将片选信号（CE）和写使能信号（WE）置为低电平。若低字节使能信号（BLE）为低电平，则来自IO引脚（IO₀至IO₇）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₇）指定的位置；若高字节使能信号（BHE）为低电平，则来自IO引脚（IO₈至IO₁₅）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₇）指定的位置。要从该器件读取数据，需将片选信号（CE）和输出使能信号（OE）置为低电平，同时将写使能信号（WE）置为高电平。若低字节使能信号（BLE）为低电平，地址引脚指定的存储单元的数据将出现在IO₀至IO₇引脚上；若高字节使能信号（BHE）为低电平，存储单元的数据将出现在IO₈至IO₁₅引脚上。有关更多信息，请参阅第9页上的真值表，以获取读写模式的完整描述。当器件未被选中（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）、BHE和BLE被禁用（BHE、BLE为高电平）或在写操作期间（CE为低电平且WE为低电平），输入和输出引脚（IO₀至IO₁₅）将处于高阻态。有关最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记AN1064，SRAM系统指南。

• 温度范围：商业级为0℃至70℃；工业级为 -40℃至85℃；汽车A类为 -40℃至85℃；汽车E类为 -40℃至125℃
• 引脚和功能与CY7C1041BV33兼容
• 高速：商业级、工业级和汽车A类的访问时间tAA = 10 ns；汽车E类的访问时间tAA = 12 ns
• 低有源功耗，最大324 mW
• 2.0V数据保持
• 未选中时自动掉电
• TTL兼容的输入和输出
• 通过CE和OE功能实现轻松的内存扩展
• 提供无铅和含铅的44引脚400密耳SOJ、44引脚TSOP II和48球FBGA封装