CY7C1041CV33-10VXC

CY7C1041CV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为262,144字×16位。要向该器件写入数据，需将片选信号（CE）和写使能信号（WE）置为低电平。若低字节使能信号（BLE）为低电平，则来自IO引脚（IO₀至IO₇）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₇）指定的位置；若高字节使能信号（BHE）为低电平，则来自IO引脚（IO₈至IO₁₅）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₇）指定的位置。要从该器件读取数据，需将片选信号（CE）和输出使能信号（OE）置为低电平，同时将写使能信号（WE）置为高电平。若低字节使能信号（BLE）为低电平，地址引脚指定的存储单元的数据将出现在IO₀至IO₇引脚上；若高字节使能信号（BHE）为低电平，存储单元的数据将出现在IO₈至IO₁₅引脚上。有关更多信息，请参阅第9页上的真值表，以获取读写模式的完整描述。当器件未被选中（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）、BHE和BLE被禁用（BHE、BLE为高电平）或在写操作期间（CE为低电平且WE为低电平），输入和输出引脚（IO₀至IO₁₅）将处于高阻态。有关最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记AN1064，SRAM系统指南。

• 温度范围：商用为0°C至70°C，工业用为-40°C至85°C，汽车用A级为-40°C至85°C，汽车用E级为-40°C至125°C
• 引脚和功能与CY7C1041BV33兼容
• 高速：地址访问时间tAA为10纳秒（商用、工业用和汽车用A级），或12纳秒（汽车用E级）
• 低工作功耗：最大324毫瓦
• 2.0伏数据保持电压
• 未选中时自动断电
• 输入和输出与TTL电平兼容
• 利用片选和输出使能功能易于进行存储器扩展
• 提供无铅和非无铅的44引脚400密耳SOJ、44引脚TSOP II以及48球FBGA封装