CY7C1049BN-15VXI

CY7C1049BN是一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为524,288字×8位。通过低电平有效芯片使能（CE）、低电平有效输出使能（OE）和三态驱动器，可轻松实现存储器扩展。向器件写入数据时，将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置为低电平，此时八个输入/输出引脚（I/O₀至I/O₇）上的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₈）指定的位置。从器件读取数据时，将芯片使能（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平，此时地址引脚指定的存储单元内容将出现在输入/输出引脚上。当器件未被选中（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）或进行写操作（CE为低电平且WE为低电平）时，八个输入/输出引脚（I/O₀至I/O₇）处于高阻态。CY7C1049BN采用标准400密耳宽36引脚SOJ封装，具有中心电源和接地引脚布局。

• 高速
• tₐₐ = 12 ns
• 低有源功耗
• 1320 mW（最大值）
• 低CMOS待机功耗（商用L版本）
• 2.75 mW（最大值）
• 2.0V数据保持（2.0V保持时为400 μW）
• 未选中时自动掉电
• TTL兼容输入和输出
• 通过CE和OE功能实现轻松的存储器扩展