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CY7C1049BNV33L-15VXC实物图
  • CY7C1049BNV33L-15VXC商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C1049BNV33L-15VXC

CY7C1049BNV33L-15VXC

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商品型号
CY7C1049BNV33L-15VXC
商品编号
C2955797
商品封装
BSOJ-36​
包装方式
管装
商品毛重
3.14克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量4Mbit
工作电压3V~3.6V
读写时间15ns
属性参数值
工作温度0℃~+70℃
工作电流180mA
待机电流500uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY7C1049BNV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为524,288字×8位。通过低电平有效的片选信号(CE)、低电平有效的输出使能信号(OE)和三态驱动器,可轻松实现存储器扩展。向器件写入数据时,将片选信号(CE)和写使能信号(WE)置为低电平,此时8个输入/输出引脚(I/O₀至I/O₇)上的数据将被写入地址引脚(A₀至A₁₈)指定的位置。从器件读取数据时,将片选信号(CE)和输出使能信号(OE)置为低电平,同时将写使能信号(WE)置为高电平,此时地址引脚指定的存储单元内容将出现在输入/输出引脚上。当器件未被选中(CE为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)或处于写操作(CE为低电平且WE为低电平)时,8个输入/输出引脚(I/O₀至I/O₇)处于高阻态。CY7C1049BNV33有标准的400密耳宽36引脚SOJ和44引脚TSOPII封装,采用中心电源和接地引脚布局。

商品特性

  • 高速
  • tₐₐ = 12 ns
  • 低有源功耗
  • 504 mW(最大值)
  • 低CMOS待机功耗(商用L版本)
  • 1.8 mW(最大值)
  • 2.0V数据保持(2.0V保持时为660 μW)
  • 未选中时自动掉电
  • TTL兼容输入和输出
  • 通过CE和OE功能轻松实现存储器扩展

数据手册PDF