CY7C1089DV33-12BAXI

CY7C1089DV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为8388608字×8位。要向该器件写入数据，需将片选信号（CE1（上划线）为低电平且CE2为高电平）和写使能信号（WE）置为低电平。此时，8个I/O引脚（I/O0至I/O7）上的数据将被写入地址引脚（A0至A22）指定的位置。要从该器件读取数据，需将片选信号（CE1（上划线）为低电平且CE2为高电平）和输出使能信号（OE）置为低电平，同时将写使能信号（WE）置为高电平。在这些条件下，地址引脚指定的存储单元内容将出现在I/O引脚上。有关读写模式的完整描述，请参阅第9页的真值表。当器件未被选中（CE为低电平或CE2为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）或在写操作期间（CE1为低电平、CE2为高电平且WE为低电平），输入和输出引脚（I/O0至I/O7）将处于高阻态。

• 高速
• 地址访问时间（tAA） = 12 ns
• 低有源功耗
• 工作电流（ICC） = 300 mA（在12 ns时）
• 低互补金属氧化物半导体（CMOS）待机功耗
• 待机电流（ISB2） = 100 mA
• 工作电压为3.3 ± 0.3 V
• 2.0 V数据保持
• 未选中时自动掉电
• 晶体管 - 晶体管逻辑（TTL）兼容的输入和输出
• 通过CE1（上划线）和CE2功能轻松实现内存扩展
• 采用无铅48球细球栅阵列（FBGA）封装