CY7C1069DV33-10BVXIKA
CY7C1069DV33-10BVXIKA
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- 商品型号
- CY7C1069DV33-10BVXIKA
- 商品编号
- C2955739
- 商品封装
- VFBGA-48
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 16Mbit | |
| 工作电压 | 3V~3.6V | |
| 读写时间 | 10ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 175mA | |
| 待机电流 | 25mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C1069DV33是一款高性能CMOS静态随机存储器,组织形式为2,097,152字×8位。写入设备时,使片选信号(CE1上划线为低电平且CE2为高电平)和写使能信号(WE)输入为低电平,然后将8个I/O引脚(I/O0至I/O7)上的数据写入地址引脚(A0至A20)指定的位置。读取设备时,使片选信号(CE1上划线为低电平且CE2为高电平)和输出使能信号(OE)为低电平,同时使写使能信号(WE)为高电平。在这些条件下,地址引脚指定的存储单元内容将出现在I/O引脚上。当设备未被选中(CE1上划线为高电平或CE2为低电平)、输出被禁用(OE上划线为高电平)或在写操作期间(CE1上划线为低电平、CE2为高电平且WE为低电平),输入和输出引脚(I/O0至I/O7)处于高阻态。CY7C1069DV33有54引脚TSOP II封装(采用中心电源和接地引脚布局)和48球超精细间距球栅阵列(VFBGA)封装。
商品特性
- 访问时间(tAA)为10 ns
- 在100 MHz时,工作电流(ICC)为175 mA
- 待机电流(ISB2)为25 mA
- 高速
- 低工作功耗
- 低互补金属氧化物半导体(CMOS)待机功耗
- 工作电压为3.3 ± 0.3 V
- 2.0 V数据保持
- 未选中时自动掉电
- 晶体管 - 晶体管逻辑(TTL)兼容输入和输出
- 借助CE1上划线和CE2功能轻松实现内存扩展
- 提供无铅54引脚薄型小外形封装(TSOP)II型和48球超精细间距球栅阵列(VFBGA)封装
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