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CY7C1069DV33-10BVXIKA引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C1069DV33-10BVXIKA

CY7C1069DV33-10BVXIKA

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商品型号
CY7C1069DV33-10BVXIKA
商品编号
C2955739
商品封装
VFBGA-48​
包装方式
管装
商品毛重
0.05克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量16Mbit
工作电压3V~3.6V
读写时间10ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流175mA
待机电流25mA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY7C1069DV33是一款高性能CMOS静态随机存储器,组织形式为2,097,152字×8位。写入设备时,使片选信号(CE1上划线为低电平且CE2为高电平)和写使能信号(WE)输入为低电平,然后将8个I/O引脚(I/O0至I/O7)上的数据写入地址引脚(A0至A20)指定的位置。读取设备时,使片选信号(CE1上划线为低电平且CE2为高电平)和输出使能信号(OE)为低电平,同时使写使能信号(WE)为高电平。在这些条件下,地址引脚指定的存储单元内容将出现在I/O引脚上。当设备未被选中(CE1上划线为高电平或CE2为低电平)、输出被禁用(OE上划线为高电平)或在写操作期间(CE1上划线为低电平、CE2为高电平且WE为低电平),输入和输出引脚(I/O0至I/O7)处于高阻态。CY7C1069DV33有54引脚TSOP II封装(采用中心电源和接地引脚布局)和48球超精细间距球栅阵列(VFBGA)封装。

商品特性

  • 访问时间(tAA)为10 ns
  • 在100 MHz时,工作电流(ICC)为175 mA
  • 待机电流(ISB2)为25 mA
  • 高速
  • 低工作功耗
  • 低互补金属氧化物半导体(CMOS)待机功耗
  • 工作电压为3.3 ± 0.3 V
  • 2.0 V数据保持
  • 未选中时自动掉电
  • 晶体管 - 晶体管逻辑(TTL)兼容输入和输出
  • 借助CE1上划线和CE2功能轻松实现内存扩展
  • 提供无铅54引脚薄型小外形封装(TSOP)II型和48球超精细间距球栅阵列(VFBGA)封装

数据手册PDF