CY7C1062AV25-10BGC

CY7C1062AV25是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为524,288字×32位。向该器件写入数据时，需使芯片使能（CE1、CE2和CE3为低电平），并将写使能（WE）输入置为低电平。若字节使能A（BA为低电平），则来自I/O引脚（I/O0至I/O7）的数据将被写入地址引脚（A0至A18）指定的位置。若字节使能B（BB为低电平），则来自I/O引脚（I/O8至I/O15）的数据将被写入地址引脚（A0至A18）指定的位置。同样，BC和BD分别对应I/O引脚I/O16至I/O23和I/O24至I/O31。从该器件读取数据时，需使芯片使能（CE1、CE2、CE3为低电平），同时将输出使能（OE）置为低电平，写使能（WE）置为高电平。若第一个字节使能（BA为低电平），则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O 0至I/O 7上。若字节使能B（BB为低电平），则存储数据将出现在I/O 8至I/O 15上。类似地，BC和BD分别对应第三个和第四个字节。有关读写模式的完整描述，请参阅本数据手册后面的真值表。当器件被取消选择（CE、CE2或CE3为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）、字节选择被禁用（BA - D为高电平）或在写操作期间（CE1、CE2和CE3为低电平，且WE为低电平），输入/输出引脚（I/O0至I/O31）将处于高阻抗状态。CY7C1062AV25采用119球间距球栅阵列（PBGA）封装。

• tAA = 10ns
• 745mW（最大值）
• 高速
• 低有源功耗
• 工作电压为2.5 ± 0.2V
• 1.5V数据保持
• 取消选择时自动掉电
• TTL兼容输入和输出
• 具有CE1、CE2和CE3特性，易于进行内存扩展
• 采用无铅119球间距球栅阵列封装