FM1608B-PG

FM1608B是一款采用先进铁电工艺的64千位非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F - RAM）是非易失性的，但在其他方面的操作与RAM相同。它可提供38年的数据保留时间，同时消除了电池备份SRAM（BBSRAM）的可靠性问题、功能缺陷和系统设计复杂性。快速写入时序和高写入耐久性使F - RAM优于其他类型的非易失性存储器。 FM1608B的系统内操作与其他RAM设备非常相似。最小读写周期时间相等。然而，由于其独特的铁电存储工艺，F - RAM存储器是非易失性的。与BBSRAM不同，FM1608B是真正的单片非易失性存储器。它提供了快速写入的相同功能优势，而没有与模块、电池或混合存储解决方案相关的缺点。 这些特性使FM1608B非常适合在字节环境中需要频繁或快速写入的非易失性存储应用。通孔封装的可用性使得在使用DIP插座的系统中易于插入和移除。设备规格在0°C至+85°C的扩展温度范围内得到保证。 用户通过并行接口访问8192个存储位置，每个位置有8个数据位。完整的13位地址唯一指定8192个字节中的每一个。在内部，存储阵列被组织成1024行，每行8个字节。这种行分割对操作没有影响，但是用户可能希望根据耐用性特性将数据分组为块。 读写存储操作的周期时间相同，这简化了存储控制器逻辑和时序电路。同样，读写存储操作的访问时间也相同。当/CE被置为高电平时，预充电操作开始，这是每个存储周期所必需的。因此，与SRAM不同，访问时间和周期时间不相等。写入在访问结束时立即进行，没有延迟。与EEPROM不同，由于写入以总线速度进行，因此无需轮询设备以确定就绪状态。 用户有责任确保VDD保持在数据手册规定的公差范围内，以防止操作错误。此外，在电源开启和关闭事件期间，必须保持VDD和/CE之间的适当电压电平和时序关系。 FM1608B的设计操作方式与其他字节存储产品类似。对于熟悉BBSRAM的用户来说，其性能相当，但字节接口的操作方式略有不同。对于熟悉EEPROM的用户来说，明显的区别在于F - DRAM技术具有更高的写入性能，包括无延迟写入和更高的写入耐久性。 读取操作在/CE的下降沿开始。此时，地址位被锁存，存储周期开始。一旦开始，即使/CE变为无效，内部也必须完成一个完整的存储周期。在满足访问时间后，数据在总线上可用。 地址锁存后，满足保持时间参数即可更改地址值。与SRAM不同，地址锁存后更改地址值对存储操作没有影响。 当/OE被置为低电平时，FM1608B将驱动数据总线。如果在满足存储访问时间后/OE被置为低电平，数据总线将被驱动输出有效数据。如果在存储访问完成之前/OE被置为低电平，数据总线将不会被驱动，直到有效数据可用。此功能通过消除无效数据驱动到总线上引起的瞬变，最大限度地减少了系统中的电源电流。当/OE无效时，数据总线将保持三态。 写入操作与读取操作在相同的时间间隔内进行。FM1608B支持/CE和/WE控制的写入周期。在所有情况下，地址在/CE的下降沿被锁存。 在/CE控制的写入中，/WE信号在存储周期开始之前被置为有效。即，当/CE下降时，/WE为低电平。在这种情况下，器件将存储周期作为写入开始。无论/OE的状态如何，FM1608B都不会驱动数据总线。 在/WE控制的写入中，存储周期在/CE的下降沿开始。/WE信号在/CE下降沿之后下降。因此，存储周期作为读取开始。数据总线将根据...（原文此处未完整）

• 组织形式为8192×8位
• 高耐久性，1万亿（10¹²）次读写
• 38年数据保留（75°C）
• 无延迟写入
• 先进的高可靠性铁电工艺
• 无电池问题
• 单片可靠性
• 防潮、抗冲击和抗振动性能优越
• 抗负电压下冲
• JEDEC 8Kx8 SRAM和EEPROM引脚排列
• 70 ns访问时间
• 130 ns周期时间
• 15 mA工作电流
• 25 μA（典型值）待机电流
• 扩展温度范围0°C至+85°C
• 28引脚“绿色”/RoHS PDIP封装