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CY7C1049CV33-10ZXI引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C1049CV33-10ZXI

CY7C1049CV33-10ZXI

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商品型号
CY7C1049CV33-10ZXI
商品编号
C2955778
商品封装
TSOPII-44​
包装方式
管装
商品毛重
1.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量4Mbit
工作电压3V~3.6V
读写时间10ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流100mA
待机电流10mA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY7C1049CV33是一款高性能互补金属氧化物半导体(CMOS)静态随机存取存储器(SRAM),组织形式为524,288字×8位。通过低电平有效片选(CE)、低电平有效输出使能(OE)和三态驱动器可轻松实现内存扩展。向器件写入数据时,将片选(CE)和写使能(WE)输入置为低电平,然后将8个I/O引脚(I/O₀至I/O₇)上的数据写入地址引脚(A₀至A₁₈)指定的位置。从器件读取数据时,将片选(CE)和输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平,此时地址引脚指定的存储单元内容将出现在I/O引脚上。当器件未被选中(CE为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)或处于写操作(CE为低电平且WE为低电平)时,8个输入输出引脚(I/O₀至I/O₇)处于高阻态。CY7C1049CV33采用标准44引脚TSOP II封装,具有中心电源和接地引脚布局。

商品特性

  • 温度范围:商用级为0℃至70℃,工业级为 -40℃至85℃
  • 高速:tAA = 8 ns
  • 低有源功耗:最大360 mW
  • 2.0 V数据保持
  • 未选中时自动掉电
  • 输入输出与晶体管 - 晶体管逻辑(TTL)兼容
  • 具备CE和OE功能,易于内存扩展

数据手册PDF