CY7C109V33-25VC

CY7C109V33/CY7C1009V33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为131,072字×8位。通过低电平有效片选信号（CE1上划线）、高电平有效片选信号（CE2）、低电平有效输出使能信号（OE上划线）和三态驱动器，可轻松实现存储器扩展。向器件写入数据时，将片选信号一（CE1上划线）和写使能信号（WE上划线）置为低电平，片选信号二（CE2）置为高电平，此时8个I/O引脚（I/O0至I/O7）上的数据将被写入地址引脚（A0至A16）指定的位置。从器件读取数据时，将片选信号一（CE1上划线）和输出使能信号（OE）置为低电平，写使能信号（WE）和片选信号二（CE2）置为高电平，此时地址引脚指定的存储单元内容将出现在I/O引脚上。当器件未被选中（CE1上划线为高电平或CE2为低电平）、输出被禁用（OE为高电平）或进行写操作（CE1上划线为低电平、CE2为高电平且WE为低电平）时，8个输入/输出引脚（I/O0至I/O7）处于高阻态。CY7C109V33采用标准32引脚、400密耳宽的SOJ封装，CY7C1009V33采用32引脚、300密耳宽的SOJ封装，二者在其他方面功能等效。

• 高速
• 访问时间tAA = 15、20、25 ns
• 电源电压VCC = 3.3V ± 10%
• 低工作功耗
• 最大432 mW
• L版本288 mW
• 低CMOS待机功耗
• 最大18 mW
• L版本7.2 mW
• 2.0V数据保持
• 未选中时自动掉电
• TTL兼容输入输出
• 可通过CE1上划线、CE2和OE上划线选项轻松扩展内存