CY7C1360C-200AXCKJ
CY7C1360C-200AXCKJ
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- 商品型号
- CY7C1360C-200AXCKJ
- 商品编号
- C2955415
- 商品封装
- LQFP-100(14x20)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 9Mbit | |
| 工作电压 | 2.5V~3.3V | |
| 读写时间 | 3ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 220mA | |
| 待机电流 | 30mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能;边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
CY7C1360B/CY7C1362B SRAM集成了262,144 x 36和524,288 x 18 SRAM单元,带有先进的同步外围电路和用于内部突发操作的两位计数器。所有同步输入由正边沿触发的时钟输入(CLK)控制的寄存器选通。同步输入包括所有地址、所有数据输入、地址流水线片选(CE1上划线)、深度扩展片选(CE2和CE3上划线)、突发控制输入(ADSC、ADSP和ADV)、写使能(BWx上划线和BWE)和全局写(GW)。异步输入包括输出使能(OE)和ZZ引脚。地址和片选在地址选通处理器(ADSP)或地址选通控制器(ADSC)激活时,在时钟上升沿寄存。后续的突发地址可由前进引脚(ADV)控制在内部生成。地址、数据输入和写控制在片上寄存以启动自定时写周期。该器件支持字节写操作。CY7C1360B/CY7C1362B使用+3.3V核心电源供电,而所有输出可使用+2.5V或+3.3V电源。所有输入和输出均符合JEDEC标准JESD8 - 5。
商品特性
- 支持高达225 MHz的总线操作
- 可用的速度等级为225、200和166 MHz
- 用于流水线操作的寄存器输入和输出
- 3.3V核心电源
- 2.5V/3.3V I/O操作
- 快速时钟到输出时间(225-MHz器件为2.8 ns,200-MHz器件为3.0 ns,166-MHz器件为3.5 ns)
- 提供高性能3 - 1 - 1访问速率
- 用户可选的突发计数器,支持英特尔奔腾交错或线性突发序列
- 独立的处理器和控制器地址选通
- 同步自定时写
- 异步输出使能
- 单周期芯片取消选择
- 提供JEDEC标准100引脚TQFP、119球BGA和165球fBGA封装
- TQFP提供3芯片使能和2芯片使能选项
- IEEE 1149.1 JTAG兼容边界扫描
- “ZZ”睡眠模式选项
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