CY7C1373BV25-117AC

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C1373BV25-117AC
商品编号: C2955278
商品封装: LQFP-100(14x20)
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CY7C1371BV25和CY7C1373BV25分别是2.5V、512K×36和1M×18的同步直通突发静态随机存取存储器（SRAM），专门设计用于支持无等待状态的无限连续读写操作。CY7C1371BV25/CY7C1373BV25配备了先进的无总线延迟（NoBL）逻辑，可在每个时钟周期传输数据的情况下实现连续读写操作。这一特性显著提高了通过SRAM的数据吞吐量，特别是在需要频繁进行写/读转换的系统中。CY7C1371BV25/CY7C1373BV25与ZBT设备引脚兼容且功能等效。所有同步输入通过由时钟上升沿控制的输入寄存器。时钟输入由时钟使能（CEN）信号限定，当该信号无效时，操作暂停并延长前一个时钟周期。时钟上升沿后的最大访问延迟为7.5 ns（117-MHz设备）。写操作由字节写选择（CY7C1371BV25的BWS(a,b,c,d)上划线和CY7C1373BV25的BWS(a,b)上划线）和写使能（WE）输入控制。所有写操作都通过片上同步自定时写电路进行。如果不使用ZZ，可以将其接地。同步片选使能（TQFP上的CE1上划线、CE2、CE3上划线，BGA上的CE1上划线）和异步输出使能（OE上划线）便于进行存储体选择和输出三态控制。为避免总线冲突，在写序列的数据部分，输出驱动器同步进入三态。

商品特性

引脚与ZBT设备兼容且功能等效
支持117-MHz总线操作，零等待状态，每个时钟周期传输数据
内部自定时输出缓冲控制，无需使用异步OE
用于直通操作的寄存器输入
字节写功能
通用I/O架构
单2.5V ±5%电源
快速时钟到输出时间
7.5 ns（117-MHz设备）
8.5 ns（100-MHz设备）
10 ns（83-MHz设备）
时钟使能（CEN）引脚可暂停操作
同步自定时写
提供100引脚TQFP和119球BGA封装
突发能力 - 线性或交错突发顺序
BGA封装版本支持JTAG边界扫描
使用ZZ模式或CE取消选择可实现自动掉电

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	18Mbit
	工作电压	2.375V~2.625V
	读写时间	7.5ns

	属性	参数值
	工作温度	0℃~+70℃
	工作电流	210mA
	待机电流	30mA
	功能特性	自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能