CY7C1373B-83BZC

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C1373B-83BZC
商品编号: C2955280
商品封装: FBGA-165(13x15)
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CY7C1371B/CY7C1373B分别是3.3V、512K x 36和1M x 18的同步直通突发静态随机存取存储器（SRAM），旨在支持无等待状态的无限真正背靠背读写操作。CY7C1371B/CY7C1373B配备了先进的无总线延迟（NoBL）逻辑，允许在每个时钟周期传输数据的情况下进行连续的读写操作。此特性显著提高了通过SRAM的数据吞吐量，特别是在需要频繁进行写/读转换的系统中。CY7C1371B/CY7C1373B与ZBT设备引脚兼容且功能等效。所有同步输入通过由时钟上升沿控制的输入寄存器。时钟输入由时钟使能（CEN）信号限定，当该信号无效时，操作暂停并延长前一个时钟周期。从时钟上升沿起的最大访问延迟为7.5 ns（117 MHz器件）。写操作由字节写选择（CY7C1371B的BWS(a,b,c,d)上划线和CY7C1373B的BWS(a,b)上划线）和写使能（WE）输入控制。所有写操作均通过片上同步自定时写电路进行。如果不使用ZZ，可以将其接地。同步芯片使能（TQFP上的CE1上划线、CE2、CE3上划线，BGA上的CE1上划线）和异步输出使能（OE上划线）便于进行存储体选择和输出三态控制。为避免总线争用，在写序列的数据部分，输出驱动器同步进入三态。

商品特性

引脚与ZBT设备兼容且功能等效
支持117 MHz总线操作，零等待状态，数据在每个时钟周期传输
内部自定时输出缓冲器控制，无需使用异步OE
用于直通操作的寄存器输入
字节写功能
通用I/O架构
快速时钟到输出时间
7.5 ns（117 MHz器件）
8.5 ns（100 MHz器件）
10.0 ns（83 MHz器件）
单3.3V电源，电压范围-5%至+10%
为3.3V或2.5V I/O提供单独的V(DDQ)
时钟使能（CEN）引脚用于暂停操作
同步自定时写操作
提供100 TQFP和119 BGA封装
突发功能 - 线性或交错突发顺序
BGA封装版本支持JTAG边界扫描
可使用ZZ模式或CE取消选择实现自动掉电

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	18Mbit
	工作电压	3.135V~3.63V
	读写时间	10ns

	属性	参数值
	工作温度	0℃~+70℃
	工作电流	185mA
	待机电流	20mA
	功能特性	自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能