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CY7C4205V-25ASC实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C4205V-25ASC

CY7C4205V-25ASC

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商品型号
CY7C4205V-25ASC
商品编号
C2954807
商品封装
TQFP-64(10x10)​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录FIFO存储器
存储容量512x9
时钟频率(fc)40MHz
工作电压4.5V~5.5V
工作电流30mA
访问时间15ns
属性参数值
功能异步
总线方向单向
可编程标志支持
工作温度0℃~+70℃
功能特性自动重传功能;输出使能

商品概述

CY7C42X5V是高速、低功耗的先进先出(FIFO)存储器,具有时钟控制的读写接口,宽度均为18位。CY7C42X5V可级联以增加FIFO深度,可编程特性包括几乎满/几乎空标志。这些FIFO为各种数据缓冲需求提供了解决方案,包括高速数据采集、多处理器接口和通信缓冲。这些FIFO有18位输入和输出端口,由独立的时钟和使能信号控制。输入端口由自由运行时钟(WCLK)和写使能引脚(WEN)控制。当WEN有效时,数据在WCLK信号的上升沿写入FIFO。当WEN保持有效时,数据在每个周期持续写入FIFO。输出端口以类似方式由自由运行读时钟(RCLK)和读使能引脚(REN)控制。此外,CY7C42X5V有一个输出使能引脚(OE)。读写时钟可以连接在一起进行单时钟操作,或者两个时钟可以独立运行以用于异步读写应用。时钟频率可达66 MHz。这些器件具备重传和同步几乎满/几乎空标志功能。使用级联输入(WXI、RXI)、级联输出(WXO、RXO)和首次加载(FL)引脚可以进行深度扩展。所有配置均采用先进的0.65μm P阱CMOS技术制造。输入ESD保护大于2001V,并使用保护环防止闩锁。

商品特性

  • 3.3V工作电压,低功耗,易于集成到低压系统
  • 高速、低功耗的先进先出(FIFO)存储器
  • 64 x 18(CY7C4425V)
  • 256 x 18(CY7C4205V)
  • 512 x 18(CY7C4215V)
  • 1K x 18(CY7C4225V)
  • 2K x 18(CY7C4235V)
  • 4K x 18(CY7C4245V)
  • 0.65μm CMOS工艺
  • 高速67 MHz操作(15 ns读写周期)
  • 低功耗
  • ICC = 30 mA
  • 5V容限输入(VIH MAX = 5V)
  • 完全异步和同时读写操作
  • 空、满、半满以及可编程的几乎空和几乎满状态标志
  • TTL兼容
  • 重传功能
  • 输出使能(OE)引脚
  • 独立的读写使能引脚
  • 支持自由运行的50%占空比时钟输入
  • 宽度扩展能力
  • 深度扩展能力
  • 64引脚14 x 14 TQFP和64引脚10 x 10 STQFP封装
  • 提供无铅封装

应用领域

  • 高速数据采集
  • 多处理器接口
  • 通信缓冲

数据手册PDF