CY14B101J2-SXI

CY14C101I/CY14B101I/CY14E101I 将 1-Mbit nvSRAM 与全功能实时时钟集成在一个具有串行 I²C 接口的单片集成电路中。存储器组织为 128 K 字，每字 8 位。嵌入式非易失性元件采用 QuantumTrap 技术，实现可靠的非易失性存储。SRAM 提供无限的读写周期，而 QuantumTrap 单元提供高度可靠的非易失性数据存储。从 SRAM 到非易失性元件的数据传输（存储操作）在断电时自动进行。上电时，数据从非易失性存储器恢复到 SRAM（召回操作）。存储和召回操作也可以通过用户通过 I²C 命令启动。

• 1-Mbit 非易失性静态随机存取存储器 (nvSRAM)
• 内部组织为 128K × 8
• 通过断电自动（自动存储）或使用 I²C 命令（软件存储）或 HSB 引脚（硬件存储）启动到 QuantumTrap 非易失性元件的存储
• 通过上电（上电召回）或 I²C 命令（软件召回）启动到 SRAM 的召回
• 使用小电容在断电时自动存储
• 高可靠性
• 无限的读、写和召回周期
• QuantumTrap 的 100 万次存储周期
• 数据保留：在 85°C 下 20 年
• 实时时钟 (RTC)
• 全功能 RTC
• 看门狗定时器
• 带可编程中断的时钟报警
• 备份电源失效指示
• 可编程频率的方波输出（1 Hz、512 Hz、4096 Hz、32.768 kHz）
• RTC 的电容或电池备份
• 备份电流典型值为 0.45 μA
• 高速 I²C 接口
• 行业标准 100 kHz 和 400 kHz 速度
• 快速模式 Plus：1 MHz 速度
• 高速：3.4 MHz
• 零周期延迟读写
• 写保护
• 使用写保护 (WP) 引脚的硬件保护
• 用于 1/4、1/2 或整个阵列的软件块保护
• I²C 访问特殊功能
• 非易失性存储/召回
• 8 字节序列号
• 制造商 ID 和产品 ID
• 睡眠模式
• 低功耗
• 在 3.4 MHz 操作下，平均工作电流为 1 mA
• 平均待机模式电流为 250 μA
• 睡眠模式电流为 8 μA
• 行业标准配置
• 工作电压：CY14C101I：VCC = 2.4 V ~ 2.6 V；CY14B101I：VCC = 2.7 V ~ 3.6 V；CY14E101I：VCC = 4.5 V ~ 5.5 V
• 工业温度范围
• 16 引脚小外形集成电路 (SOIC) 封装
• 符合有害物质限制 (RoHS)