STK14C88-3NF35TR
STK14C88-3NF35TR
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- 商品型号
- STK14C88-3NF35TR
- 商品编号
- C2951138
- 商品封装
- SOIC-32
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.4225克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | nvSRAM(掉电保持) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 硬件写保护;自动存储功能 |
商品概述
Cypress STK14C88 - 3是一款256 Kb的快速静态随机存取存储器(SRAM),每个存储单元都包含一个非易失性元件。嵌入式非易失性元件采用了QuantumTrap技术,打造出全球最可靠的非易失性存储器。SRAM提供无限的读写周期,而独立的非易失性数据则存储在高度可靠的QuantumTrap单元中。在断电时,数据会自动从SRAM传输到非易失性元件(存储操作)。上电时,数据会从非易失性存储器恢复到SRAM(恢复操作)。存储和恢复操作也可以通过软件控制。
STK14C88 - 3非易失性SRAM由两个功能组件组成,它们位于同一个物理单元中,分别是SRAM存储单元和非易失性QuantumTrap单元。SRAM存储单元作为标准的快速静态随机存取存储器运行。SRAM中的数据可以传输到非易失性单元(存储操作),也可以从非易失性单元传输到SRAM(恢复操作)。这种独特的架构能够并行存储和恢复所有单元。在存储和恢复操作期间,SRAM的读写操作会被禁止。STK14C88 - 3支持无限次的读写操作,类似于典型的SRAM。此外,它还提供从非易失性单元进行无限次的恢复操作,以及多达100万次的存储操作。
商品特性
- 访问时间为35 ns和45 ns
- 掉电时自动进行非易失性存储
- 可通过硬件或软件控制进行非易失性存储
- 上电时自动将数据恢复到SRAM
- 具有无限的读写耐久性
- 具有无限的恢复周期
- 存储周期达100万次
- 数据保留时间长达100年
- 采用单一3.3 V ± 0.3 V电源供电
- 适用于商业和工业温度范围
- 提供32引脚(300密耳)SOIC和32引脚(600密耳)PDIP封装
- 符合RoHS标准
- STK12C68-L351
- STK11C88-3N45I
- STK11C88-3N35I
- CY14B101LA-SP45XI
- CY14B256LA-SZ45XIT
- CY14V101LA-BA45XIT
- CY14B104NA-ZS25XIT
- CY14V101QS-BK108XQT
- CY14V101Q3-SFXIT
- CY14E256Q5A-SXQT
- CY14E256LA-SZ45XIT
- CY14E101Q2A-SXIT
- CY14B256I-SFXIT
- CY14B116M-BZ45XIT
- CY14B104LA-ZS25XIT
- CY14B101LA-ZS45XIT
- CY14B101J2-SXIT
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- S79FL256SDSMFBG03
- S79FL01GSDSBHVC13
- S79FL01GSDSBHBC13
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